Компания STMicroelectronics анонсировала микроконтроллер STM32V8 для индустриальной сферы. Среди возможных областей применения названы системы промышленной автоматизации, робототехника, оборудование для аэрокосмической отрасли и здравоохранения, устройства для умных городов и пр.

Изделие изготавливается по 18-нм техпроцессу FD-SOI в партнёрстве с Samsung Foundry. Основой служит 32-бит ядро Arm Cortex-M85 (до 800 МГц) с поддержкой Arm Helium, Arm MVE и TrustZone. По заявлениям STMicroelectronics, на сегодняшний день новинка является самым производительным микроконтроллером серии STM32.

Одной из особенностей STM32V8 является наличие 4 Мбайт (два блока по 2 Мбайт) энергонезависимой памяти на основе фазового перехода (РСМ). Она устойчива к воздействию радиации, что позволяет использовать микроконтроллер в том числе в космическом пространстве. Отмечается, что компания SpaceX будет применять изделие в своих спутниках системы Starlink. Еще одна особенность решения — широчайший диапазон рабочих температур, который простирается от -40 до +140 °C.

Источник изображений: STMicroelectronics

В состав чипа входят графический блок Chrom-ART 2D GPU и аппаратный JPEG-ускоритель. Есть 1,5 Мбайт памяти System SRAM с поддержкой ECC и 8 Кбайт памяти Backup RAM. Реализованы интерфейсы внешней памяти Hexa-SPI, Octo-SPI, 2 × SD/SDIO/MMC, SDRAM, NAND. Упомянута поддержка 1GbE, 2 × SAI, 4 × I2S, S/PDIF Rx, 1 × USB HD, 1 × USB FS, UCPD (USB-C PD), 3 × I2C, 2 × I3C, 5 × USART, 5 × UART, 1 × LPUART, 3 × FD-CAN, 6 × SPI, 3 × ADC (12 бит), 1 × DAC (12 бит).

Для микроконтроллера доступны различные варианты исполнения, включая 68-pin VQFN (8 × 8 мм), 100-pin LQFP/TFBGA (14 × 14 или 8 × 8 мм), 144-pin LQFP (20 × 20 мм), 176-pin LQFP (24 × 24 мм), 176+25-pin UFBGA (10 × 10 мм) и 273-pin TFBGA (14 × 14 мм). Пробные поставки изделия избранным клиентам уже начались. Массовые отгрузки запланированы на следующий год.

Компания STMicroelectronics объявила о разработке фотонного чипа PIC100, предназначенного для организации высокоскоростного оптического интерконнекта в дата-центрах, ориентированных на задачи ИИ. Изделие создано в сотрудничестве с Amazon Web Services (AWS).

Чипы PIC100 планируется изготавливать с использованием технологического процесса BiCMOS на основе 300-мм кремниевых пластин. Метод BiCMOS предполагает объединение биполярных и КМОП-транзисторов на одном кристалле. Такой подход позволяет совместить преимущества компонентов обоих типов: технология обеспечивает улучшенную производительность по сравнению с КМОП-решениями при меньшей рассеиваемой мощности по сравнению с продуктами на основе только биполярных транзисторов.

По заявлениям STMicroelectronics, на начальном этапе чипы PIC100 смогут поддерживать пропускную способность до 200 Гбит/с на линию. Это даёт возможность формировать соединения, обеспечивающие скорость передачи данных до 800 Гбит/с и 1,6 Тбит/с. Более того, STMicroelectronics работает над решениями с пропускной способностью до 400 Гбит/с на линию, что в конечном итоге, как ожидается, позволит создавать оптические интерконнекты со скоростью до 3,2 Тбит/с.

Источник изображения: STMicroelectronics

Одной из проблем на пути практического применения подобных изделий являет рост выделяемого тепла, что может приводить к снижению производительности или увеличению частоты сбоев оборудования. Для минимизации таких негативных эффектов специалисты STMicroelectronics разработали специальные волноводы и оптоволоконные адаптеры. Производить чипы PIC100 планируется на предприятии STMicroelectronics в Кроле (Crolles) во Франции. Выпуск будет организован к концу текущего года.