STMicroelectronics представила фотонный чип для 1,6-Тбит/с сетей

Компания STMicroelectronics объявила о разработке фотонного чипа PIC100, предназначенного для организации высокоскоростного оптического интерконнекта в дата-центрах, ориентированных на задачи ИИ. Изделие создано в сотрудничестве с Amazon Web Services (AWS).

Чипы PIC100 планируется изготавливать с использованием технологического процесса BiCMOS на основе 300-мм кремниевых пластин. Метод BiCMOS предполагает объединение биполярных и КМОП-транзисторов на одном кристалле. Такой подход позволяет совместить преимущества компонентов обоих типов: технология обеспечивает улучшенную производительность по сравнению с КМОП-решениями при меньшей рассеиваемой мощности по сравнению с продуктами на основе только биполярных транзисторов.

По заявлениям STMicroelectronics, на начальном этапе чипы PIC100 смогут поддерживать пропускную способность до 200 Гбит/с на линию. Это даёт возможность формировать соединения, обеспечивающие скорость передачи данных до 800 Гбит/с и 1,6 Тбит/с. Более того, STMicroelectronics работает над решениями с пропускной способностью до 400 Гбит/с на линию, что в конечном итоге, как ожидается, позволит создавать оптические интерконнекты со скоростью до 3,2 Тбит/с.

Источник изображения: STMicroelectronics

Одной из проблем на пути практического применения подобных изделий являет рост выделяемого тепла, что может приводить к снижению производительности или увеличению частоты сбоев оборудования. Для минимизации таких негативных эффектов специалисты STMicroelectronics разработали специальные волноводы и оптоволоконные адаптеры. Производить чипы PIC100 планируется на предприятии STMicroelectronics в Кроле (Crolles) во Франции. Выпуск будет организован к концу текущего года.