Британская компания QuInAs Technology, по сообщению ресурса Blocks & Files, ещё на шаг приблизилась к серийному производству своей универсальной памяти UltraRAM, сочетающей такие характеристики, как высокая скорость DRAM, энергонезависимость NAND и низкое энергопотребление.
В разработке технологий, лежащих в основе UltraRAM, приняли участие исследователи из Университета Ланкастера (Lancaster University) и Университета Уорика (University of Warwick). Утверждается, что UltraRAM потребляет в 100 раз меньше энергии, чем DRAM, и в 1000 раз меньше, чем NAND-флеш. Данные в новой памяти могут храниться на протяжении 1000 лет. Кроме того, UltraRAM обладает высокой надёжностью: она может быть перезаписана не менее 10 млн раз.
Источник изображения: QuInAs
Принцип работы UltraRAM основан на эффекте квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку. Этот барьер формируется путём чередования тонкоплёночных слоёв антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb). В обычной памяти 3D NAND оксидный плавающий затвор в ячейке постепенно разрушается, тогда как у UltraRAM затвор практически не подвержен внешним воздействиям, говорят создатели. Благодаря этому обеспечивается большое количество циклов записи/стирания.
Партнёром QuInAs в рамках проекта по организации массового производства UltraRAM выступает компания IQE, тогда как грантовое финансирование предоставляет Innovate UK. Специалисты IQE разработали производственный процесс получения структур для UltraRAM с использованием эпитаксии (нарастание одного кристаллического материала на другом).
В настоящее время QuInAs и IQE обсуждают возможности коммерциализации памяти нового типа с производственными предприятиями и стратегическими партнёрами. Ожидается, что UltraRAM сможет найти применение в самых разных устройствах — от автономных изделий интернета вещей (IoT) и смартфонов до ноутбуков и оборудования для дата-центров.
Источник:
