Материалы по тегу: smart modular

08.05.2019 [14:34], Сергей Карасёв

Новая DDR4-память SMART Modular рассчитана на работу при минус 40 градусах

Компания SMART Modular Technologies представила новые модули оперативной памяти SMART Rugged, рассчитанные на эксплуатацию в экстремальных условиях.

Изделия ориентированы на различные встраиваемые устройства, промышленное и военное оборудование, автомобильные системы, платформы обеспечения общественной безопасности и пр.

Анонсированные модули SMART Rugged соответствуют стандарту DDR4. Ёмкость составляет 32 Гбайт. При этом заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

Решения соответствуют стандарту SO-DIMM. По сравнению с DIMM модули формата SO-DIMM характеризуются меньшими размерами, что позволяет использовать их в устройствах с ограниченным внутренним пространством.

Память функционирует на частоте 2666 МГц. Изделия будут доступны в конфигурациях с поддержкой ECC и без таковой.

Информации о сроках начала поставок и ориентировочной цене модулей на данный момент нет. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/987158
02.05.2019 [10:20], Сергей Карасёв

SSD-накопители SMART Modular HRS-T5E обладают повышенной надёжностью

Компания SMART Modular анонсировала твердотельные накопители серии HRS-T5E, подходящие для применения в промышленной сфере, в системах телеметрии, видеонаблюдения и пр.

Решения соответствуют стандарту MIL-STD-810G, что говорит о повышенной надёжности. Диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

Накопители имеют форм-фактор 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с. Габариты составляют 100 × 70 × 7 мм.

Изделия построены на чипах флеш-памяти 3D TLC NAND: технология предполагает хранение трёх бит информации в одной ячейке. В семейство вошли модели вместимостью 120 Гбайт, 240 Гбайт, 480 Гбайт, 960 Гбайт, а также 1,92 Тбайт и 3,84 Тбайт.

Заявленная скорость чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость записи — 535 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении составляет до 80 тыс., при произвольной записи — до 50 тыс.

Поддерживается шифрование AES-XTS с ключом длиной 256 бит. Средняя наработка на отказ (величина MTBF), как утверждается, превышает 2 млн часов. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/986843
14.02.2019 [11:50], Сергей Карасёв

В семейство SMART Modular N200 вошли SSD-накопители разного формата

Компания SMART Modular Technologies представила твердотельные накопители серии N200, рассчитанные на использование в сетевых системах хранения данных, серверах, различном телекоммуникационном оборудовании, промышленных устройствах и пр.

В семейство вошли решения в разных форм-факторах. Это, в частности, 2,5-дюймовые изделия, а также модули mSATA (MO-300), Slim SATA (MO-297), M.2 2242 и 2280.

Все накопители выполнены с применением микрочипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Технология TLC, напомним, предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

Вместимость в зависимости от модификации варьируется от 32 Гбайт до 1 Тбайт. Говорится о том, что устройства имеют расширенный диапазон рабочих температур.

Среди прочего стоит упомянуть повышенную надёжность, что важно, поскольку решения могут применяться в составе критически важного оборудования.

Более подробную информацию о твердотельных накопителях SMART Modular N200 можно найти на этой странице

Постоянный URL: http://servernews.ru/982772
15.08.2017 [18:03], Алексей Степин

SMART Modular анонсировала контроллер Gen-Z NVRAM

Проблемы с объёмом твердотельных накопителей уже решены — представлены решения объёмом 50 и более терабайт, но всё-таки есть сферы, где важна не столько ёмкость, сколько производительность и малая латентность. Над такими решениями работает компания SMART Modular Technologies, продемонстрировавшая недавно прототип контроллера Gen-Z NVRAM. Новинка была выполнена в виде платы расширения PCIe формата HHHL (половинная высота, половинная длина), главной целью демонстрации был показ в действии нового стандарта соединений Gen-Z.

Эволюция подсистем памяти

Эволюция подсистем памяти

Шина Gen-Z является масштабируемой, главное её достоинство — высокая пропускная способность и крайне низкие задержки. В демонстрируемом прототипе эти показатели составили 64 Гбайт/с и менее 100 наносекунд при работе с гибридным массивом из флеш-памяти и DRAM (768 и 16 Гбайт, соответственно). Согласно имеющимся данным, пропускная способность Gen-Z может достигать несколько сотен гигабайт в секунду. Это очень пригодится для ряда задач — как реального времени, так и приложений, полностью работающих в памяти и не обращающихся к внешним медленным средствам хранения данных.

Gen-Z является универсальной шиной

Gen-Z является универсальной шиной

Сердце платы, контроллер под кодовым названием Cobra PM, разработан SMART в сотрудничестве c IntelliProp. В текущей версии он поддерживает работу с флеш-массивами объёмом до 6 Тбайт и массивами DRAM объёмом до 32 Гбайт. Поддерживается стандарт NVMe 1.3, поэтому ничто не мешает SMART Modular выпускать решения класса Gen-Z не только в виде плат расширения PCIe, но использовать также популярный форм-фактор SFF-8639, он же U.2. Надо сказать, что в разработке стандарта Gen-Z компания не одинока: в консорциум разработчиков входят такие известные имена, как AMD, ARM, Broadcom, Cray, Dell EMC, Hewlett Packard Enterprise, Huawei, IDT, Micron, Samsung, SK hynix и Xilinx.

Постоянный URL: http://servernews.ru/956997
Система Orphus