Являясь партнёрами по совместному предприятию в сфере производства NAND-памяти, компании Kioxia и SanDisk по-разному относятся к архитектуре High-Bandwidth Flash (HBF), сторонником которой является и SK hynix. Однако в отличие от SanDisk, разработавшей эту технологию в 2024 году, Kioxia пока занимает нейтральную позицию, предлагая альтернативный архитектурный подход, пишет Blocks & Files.
Проблема в том, что у SanDisk нет собственных производственных мощностей для выпуска пластин, она сможет осуществлять выпуск пластин с памятью HBF NAND через СП с Kioxia. Однако маловероятно, что это СП будет производить пластины HBF NAND исключительно для нужд SanDisk.
В 2026 году SanDisk и SK hynix инициировали создание консорциума по стандартизации спецификаций HBF, запустили профильное рабочее направление в рамках OCP и представили первые открытые технические спецификации, охватывающие такие аспекты, как стеки кристаллов NAND (8 или 16 кристаллов в стеке ёмкостью до 512 Гбайт), показатели пропускной способности (примерно 0,4–3,0 Тбайт/с), UCIe-интерфейс, особенности корпусировки, параметры надёжности и рекомендации по ПО.
Источник изображения: SanDisk
В октябре SanDisk сообщила, что технология HBF достигла важного рубежа — был осуществлён выпуск (tape-out) первого кристалла памяти HBF. При этом поставки образцов первых продуктов на базе HBF по-прежнему ожидаются в следующем календарном году.
Однако сама Kioxia не стала присоединяться к консорциуму HBF. По данным издания Nikkei, она планирует использовать скоростную память NAND в сочетании с CXL в качестве альтернативы DRAM, что позволит сократить задержку при чтении данных более чем в десять раз по сравнению с традиционными решениями на базе NAND. В августе 2025 года Kioxia представила прототип флеш-модуля большой ёмкости (5 Тбайт) с высокой пропускной способностью (64 Гбайт/с), предназначенного для периферийных систем, а не для GPU-серверов в ЦОД.
Его архитектура предусматривает последовательное соединение блоков флеш-памяти, а не их многослойную компоновку, с последовательной же передачей сигналов, а не параллельной (как в HBF). То есть Kioxia делает ставку на последовательное соединение без вертикального стекирования слоев, тогда как SanDisk и SK hynix отдают предпочтение стекированию слоёв с использованием параллельных соединений через сквозные кремниевые контакты (TSV).
SanDisk рассматривает возможность запуска собственного производства памяти. В апреле этого года TrendForce со ссылкой на ETNews сообщила, что SanDisk начала сотрудничество с поставщиками материалов, компонентов и оборудования с целью создания пилотной линии по выпуску прототипов HBF, а Япония рассматривается как основной кандидат на роль производственной площадки. Ожидается, что пилотная линия будет запущена ближе к концу года, а запуск коммерческого производства намечен на 2027 год.
Источник:
