Несмотря на то, что страница истории, посвящённая созданию энергонезависимой памяти Optane, официально закрыта Intel, третье поколение модулей DCPMM всё-таки увидит свет и дополнит собой платформы Sapphire Rapids и Emerald Rapids (если к этому моменту они останутся в наличии). Об этом стало известно благодаря слайду, опубликованному в Twitter. Несмотря на принадлежность модулей PMem 300 (Crow Pass) к третьему поколению, в них используются кристаллы второго поколения, четырёхслойные Barlow Pass.

В Crow Pass применён новый контроллер Crow Valley с интерфейсом DDR-T2. Этот интерфейс позволяет создавать пулы Optane PMem объёмом до 4 Тбайт на сокет (8 × 512 Гбайт). Кроме того, DDR-T2 шина функционирует на вдвое более высокой частоте, нежели у ячеек памяти. И если PMem 200 предлагали интерфейс 3200 МТ/с, то в PMem 300 будут реализованы скорости 4000-4400 МТ/с, что более-менее соответствует параметрам модулей DDR5 DRAM, которые в серверных системах обычно имеют скорость 4800 МТ/с.

Источник: Twitter/9550pro

Соответствующим образом возрастёт производительность. Данные приводятся для режима 2RW1 (две операции чтения на одну операцию записи), и если первое поколение PMem ограничивается 4 Гбайт/с, а второе останавливается на отметке 4,83 Гбайт/с, то третье сможет развивать линейные скорости в районе 6 Гбайт/с. Ещё сильнее вырастет производительность в случайных операциях, с 1–1,2 Гбайт/с до 3 Гбайт/с.

Кроме того, в Crow Pass будут дополнены протоколы сохранения данных в случае потери питания — в дополнение к обычному режиму ADR появится FastADR. Как и предыдущие поколения PMem, Optane PMem 300 смогут работать в режиме App Direct, в качестве дополнения обычной DRAM и в смешанном режиме. Теплопакет у новинок, к слову, не изменился и составляет те же 15 Вт с возможностью кратковременного увеличения для повышения производительности, если есть запас по охлаждению.

Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты —  от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к 64-Гбайт модулям или 128-Гбайт. Модулей с промежуточной ёмкостью не существует, вернее, не существовало до недавних пор. Новые чипы DDR5 должны помочь в создании модулей с меньшим шагом: 24, 48, 96 Гбайт или т.д. Это так называемая «небинарная» память.

В отличие от обычных DIMM, в основе которых лежат микросхемы DRAM ёмкостью 16 Гбит, в новых модулях DDR5 применяются чипы ёмкостью 24 Гбит. Использование таких чипов позволяет получить и 768 Гбайт на модуль DIMM. К настоящему времени все крупные производители памяти, включая Samsung, SK-Hynix и Micron уже анонсировали «небинарные» чипы DDR5 ёмкостью 24 Гбит, сообщает The Register.

Источник: SK hynix

У современных серверов стоимость памяти может достигать 14 % от стоимости всего сервера, а в облачных средах даже приближается к 50 %. Но если, например, реальная потребность в памяти составляет 3 Гбайт на поток, то системе с 96-ядерным процессором AMD EPYC 9004 нужно 576 Гбайт памяти. Использование 32-Гбайт модулей в 12 имеющихся каналов даст только 384 Гбайт RAM (недостача 192 Гбайт), а 64-Гбайт — сразу 768 Гбайт (избыток 192 Гбайт). При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC (в случае Genoa этого режима пока всё равно нет).

А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов. Существуют и другие методы решения этой проблемы — например, использование CXL (впрочем, SK hynix уже предлагает 96-Гбайт CXL-модули как раз на базе 24-Гбит чипов DDR5) или процессоров с интегрированной высокоскоростной памятью. Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости.

Компания SK hynix объявила о создании рабочих образцов памяти DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM: это, как утверждается, самые производительные модули DRAM для серверов на сегодняшний день. Изделия имеют эквивалентную производительность DDR5-8000, что значительно больше по сравнению с широко распространёнными продуктами DDR5-4800.

MCR DIMM — двухранговая память, спроектированная совместно со специалистами Intel и Renesas. В модулях обеспечивается одновременное использование двух рангов, для чего служит специальный буфер данных между DRAM и CPU. Данный подход напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM.

Источник изображений: SK hynix

Такая архитектура даёт возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону CPU по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без увеличения быстродействия собственно чипов памяти.

Говорится, что достижение стало возможным благодаря сочетанию опыта SK hynix по проектированию модулей DRAM, передовых технологий Intel, используемых в процессорах Xeon, и буферной технологии Renesas. Для стабильной работы модулей MCR DIMM необходимо согласованное взаимодействие между буфером данных и CPU. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, но сроков начала массового производства не называет.