Компания SK hynix на мероприятии SK AI Summit в Сеуле (Южная Корея) сообщила о разработке первых в отрасли 16-ярусных чипов памяти HBM3E, ёмкость которых составляет 48 Гбайт. Клиенты получат образцы таких изделий в начале 2025 года.
Генеральный директор SK hynix Квак Но-Джунг (Kwak Noh-Jung) сообщил, что компания намерена трансформироваться в поставщика ИИ-памяти «полного стека». Ассортимент продукции будет охватывать изделия всех типов — от DRAM до NAND. При этом планируется налаживание тесного сотрудничества с заинтересованными сторонами.
Источник изображения: techpowerup.com
При производстве 16-Hi HBM3E компания будет применять передовую технологию Advanced MR-MUF, которая ранее использовалась при изготовлении 12-слойных продуктов. Память рассчитана на высокопроизводительные ИИ-ускорители. Утверждается, что 16-ярусные изделия по сравнению с 12-слойными аналогами обеспечивают прирост быстродействия на 18 % при обучении ИИ-моделей и на 32 % при инференсе.
SK hynix намерена предложить заказчикам кастомизируемые решения HBM с оптимизированной производительностью, которые будут соответствовать различным требованиям к ёмкости, пропускной способности и функциональности. Плюс к этому SK hynix планирует интегрировать логику непосредственно в кристаллы HBM4. Ранее говорилось, что компания рассчитывает начать поставки памяти HBM4 заказчикам во II половине 2025 года.
В числе других готовящихся продуктов SK hynix упоминает модули LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) для ПК и ЦОД, решения LPDDR5 и LPDDR6 с технологией производства 1c-класса, SSD с интерфейсом PCIe 6.0, накопители eSSD и UFS 5.0 большой вместимости на основе чипов флеш-памяти QLC NAND.
Источник:
