Компания Solid State Storage Technology Corporation (SSSTC), дочерняя структура Kioxia, представила SSD корпоративного класса EJ5, подходящие для НРС-нагрузок, приложений ИИ и других ресурсоёмких задач. Изделия будут предлагаться в исполнениях U.2 (толщиной 15 мм) и EDSFF E3.S.

В основу накопителей положены флеш-чипы 3D eTLC. Для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Заявленная скорость передачи данных в режиме чтения достигает 14 000 Мбайт/с, в режиме записи — 7500 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольных чтении и записи блоками по 4 Кбайт составляет до 2,5 млн и 360 тыс. соответственно.

В семейство EJ5 вошли модели вместимостью 3,2, 6,4 и 12,8 Тбайт, которые могут выдерживать до трёх полных перезаписей в сутки (3 DWPD) на протяжении пяти лет. Кроме того, дебютировали варианты ёмкостью 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт с 1 DWPD на протяжении пяти лет. У всех устройств величина MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Источник изображения: SSSTC

В накопителях реализована фирменная технология TrueLog 360, которая отвечает за сбор и запись важной информации о состоянии SSD: данные сохраняются каждый час на протяжении всего жизненного цикла. Это обеспечивает возможность непрерывного мониторинга и глубокого анализа, что позволяет корпоративным пользователям отслеживать работоспособность устройств, температурные аномалии, производительность и другие параметры в любое время.

Кроме того, упомянута защита от потери питания TruePLP (Power Loss Protection). В оснащение входят высоконадёжные конденсаторы для резервной подачи энергии. В случае сбоя TruePLP предоставляет SSD возможность записать любые данные из памяти DRAM во флеш-память NAND, предотвратив тем самым потерю информации. Говорится также о поддержке TCG Opal.

Современные твердотельные накопители хороши всем, но сами принципы, на которых строится NAND-память, наделяют их конечным ресурсом перезаписи, что в некоторых сценариях весьма критично. Специально для таких сценариев предназначен новый SSD Solidigm D7-P5810, анонсированный буквально на днях.

Большая часть современных SSD использует многослойную память 3D TLC NAND, а в погоне за ёмкостью и плотностью упаковки данных практическими всеми производителями NAND-устройств и самих SSD активно осваиваются технологии QLC и PLC, с четырьмя и пятью битами на ячейку, соответственно.

Но это означает пониженный ресурс записи и для использования в качестве устройств strorage class memory (SCM) такие SSD подходят не лучшим образом. Новый Solidigm D7-P5810, однако, использует 144-слойную память 3D NAND в режиме SLC, с одним битом на ячейку. За исключением экзотических технологий, вроде MRAM или почившего в бозе Optane это самый надёжный на сегодня вариант энергонезависимой памяти.

Источник изображений здесь и далее: Solidigm

Именно использование SLC-памяти позволяет компании-производителю заявлять для P5810 общий ресурс записи в 73 Пбайт и 50 полных перезаписей в день в течение пятилетнего гарантийного срока. Наработка на отказ заявлена на уровне 2 млн часов, а показатель UBER не превышает 1 сектор на 10¹⁷ бит. Ёмкость при этом не слишком высока, что характерно для всех SLC-устройств: новинка представлена в вариантах 800 Гбайт и 1,6 Тбайт (появится в первой половине 2024 года).

Solidigm D7-P5810 использует форм-фактор U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4), что позволяет ему развивать линейные скорости 6400 и 4000 Мбайт/с при чтении и записи соответственно. На случайных операциях при максимальной глубине запроса накопитель обеспечивает 865 тысяч IOPS при чтении и 495 тысяч IOPS при записи. Латентность при этом находится в пределах 10–15 мкс, при случайном чтении она не превышает 53 мкс.

Solidigm D7-P5810 в сравнении с соперниками. Конкурент A — Micron XTR, конкурент B — Kioxia FL6. Источник: Solidigm

Устройство достаточно экономично: в активном состоянии новый SSD потребляет не более 12 Вт, а в режиме простоя — не более 5 Вт. В качестве сценариев использования Solidigm называет кеширование в системах на базе QLC NAND, также он отлично подойдет для HPC-систем или систем сбора данных и логов.

Правда, новый накопитель не уникален: на рынке ему придётся конкурировать с Kioxia FL6 или Micron XTR, также использующими SLC 3D NAND. Оба конкурента имеют варианты с большей ёмкостью (3,2 Тбайт у Kioxia, 1,92 Тбайт у Micron), но заметно уступают Solidigm D7-P5810 в производительности на случайных операциях записи.

Корпорация Intel сегодня представила передовой твердотельный накопитель для корпоративного применения — изделие Optane P5800X, обеспечивающее высочайшие показатели производительности. Это первые SSD компании, сочетающие интерфейс PCIe 4.0 и память Intel Optane базе второго поколения 3D XPoint.

Новые накопители будут доступны в форм-факторе U.2 и будут иметь ёмкость 400 Гбайт, 800 Гбайт, 1,6 Тбайт или 3,2 Тбайт. Скорость последовательного чтения у них достигает 7,2 Гбайт/с, а последовательной записи — 6,2 Гбайт/с.

Новинки могут похвастаться высочайшим показателем IOPS — операций ввода/вывода в секунду. При произвольных чтении и записи данных блоками по 4 Кбайт эта величина достигает 1 500 000. При этом задержка чтения в среднем составляет менее 6 мкс. В смешанном режиме чтения и записи задержка не превышает 25 мкс, а показатели IOPS достигает 1,8 млн.

В сравнении с первым поколением P4800X новинки практически утроили показатели пропускной способности и IOPS, улучшили показатели QoS и предсказуемость отклика накопителей, а также повысили надёжность: на протяжении срока службы они выдерживают по 100 полных перезаписей (DWPD) в сутки или до 584 Пбайт суммарно (PBW).

«Благодаря памяти Intel Optane компания изменила иерархию памяти и систем хранения данных, предоставив возможность использовать свои решения как на уровне производительности, так и на уровне хранения данных. Это позволяет создавать двухуровневые системы, где DRAM отвечает за быструю обработку информации, а энергонезависимая память выполняет функции хранилища. В случае систем хранения данных энергонезависимая память Optane используется как высокопроизводительный уровень, а NAND – как уровень для хранения больших объемов данных», — заявляет Intel.