Micron начала массовое производство памяти HBM3E для ускорителей NVIDIA H200

Компания Micron Technology объявила о начале массового производства передовой памяти HBM3E. Речь идёт об изделиях ёмкостью 24 Гбайт, предназначенных для ИИ-ускорителей NVIDIA H200, которые появятся на коммерческом рынке во II квартале нынешнего года.

Чипы Micron HBM3E выполнены в виде 8-ярусного стека. Заявленная скорость передачи данных превышает 9,2 Гбит/с на контакт, а общая пропускную способность сборки превосходит 1,2 Тбайт/с. Вместе с тем, как утверждается, изделия потребляют примерно на 30 % меньше энергии по сравнению с решениями конкурентов.

Источник изображения: Videocardz / Micron

Micron подчёркивает, что чипы HBM3E объёмом 24 Гбайт позволяют дата-центрам беспрепятственно масштабировать различные ИИ-нагрузки — от обучения сложных нейронных сетей до ускорения инференса. Изделия выполнены по технологии 1β (1-бета) — самому передовому техпроцессу компании. Кроме того, применены другие современные методики упаковки чипов, включая усовершенствованную технологию сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via).

Micron также сообщила, что уже в марте нынешнего года начнёт распространять образцы 12-ярусных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт. Они, как и изделия на 24 Гбайт, обеспечат пропускную способность свыше 1,2 Тбайт/с при высокой энергетической эффективности.