ISC 2016: линейка твердотельных накопителей Samsung с технологией V-NAND

 

Сегодня компания Samsung Electronics уверенно занимает лидирующее положение на рынке твердотельных накопителей. Стремясь развить успех, южнокорейский гигант представил на выставке-конференции ISC 2016 в немецком Франкфурте серию SSD для серверов различного уровня производительности, а также референсный стоечный сервер All-Flash Array с 28-ю отсеками для накопителей.

Продемонстрированные в рамках ISC 2016 SSD-устройства объединяет применение технологии Samsung V-NAND. «Вертикальная» или «3D» NAND флеш-память позволяет увеличивать объём накопителей без необходимости использования актуального (то есть самого «тонкого») техпроцесса, за счёт чего достигается оптимальное соотношение общей ёмкости чипов и износостойкости ячеек.

Семейство SATA SSD Samsung для корпоративных клиентов включает 2,5-дюймовые накопители SM863a и PM863a. Они отличаются друг от друга типом флеш-памяти (MLC V-NAND и TLC V-NAND соответственно), объёмом младшего представителя семейства (120 и 240 Гбайт) и скоростными показателями.

SSD Samsung на ISC 2016
  • SM863a: до 520/485 Мбайт/с (чтение/запись), до 97 тыс./29 тыс. IOPS (чтение/запись);
  • PM863a: до 520/475 Мбайт/с (чтение/запись), до 97 тыс./18 тыс. IOPS (чтение/запись).

Объём вышеназванных накопителей может достигать 3,84 Тбайт.

Новинки с интерфейсом подключения SAS 12 Гбит/с также разнятся типом микросхем NAND Flash. Устройства Samsung SM1635 используют чипы MLC V-NAND, проприетарный контроллер REX и будут доступны в вариантах 400 Гбайт, 800 Гбайт и 1,6 Тбайт. В свою очередь, накопители PM1633a базируются на «вертикальной» TLC-памяти, имеют ту же управляющую микросхему REX, и будут представлены в версиях от 480 Гбайт до 15,36 Тбайт.

SSD Samsung на ISC 2016

Быстродействие данных SSD значительно выше, чем у моделей с разъёмом SATA:

  • SM1635: до 1450/1200 Мбайт/с (чтение/запись), до 189 тыс./54 тыс. IOPS (чтение/запись);
  • PM1633a: до 1350/1300 Мбайт/с (чтение/запись), до 200 тыс./37 тыс. IOPS (чтение/запись).

Наиболее производительные решения Samsung с протоколом передачи данных NVMe представлены на стенде компании в двух форм-факторах — HHHL (компактные PCI-E устройства) и 2,5 дюйма. Накопители PM1725 характеризуются впечатляющей производительностью (скорость чтения может достигать 6 Гбайт/с, число IOPS при чтении — 1 млн), SM1725 выделяются применением MLC-памяти, а PM963 — контроллером Polaris и максимальной ёмкостью в 7,68 Тбайт.

SSD Samsung на ISC 2016

Прототип стоечного сервера All-Flash Array в форм-факторе 19 дюймов/2U является примером того, как в условиях дефицита свободного пространства можно разместить почти три десятка SSD-устройств, включая 24 NVMe-накопителя с опцией горячей замены.

SSD Samsung на ISC 2016

Система допускает использование двух процессоров линейки Intel Xeon E5-2600 v3 с тепловым пакетом до 145 Вт, а также 16-ти модулей оперативной памяти RDIMM/LRDIMM DDR4-2133 общим объёмом до 1 Тбайт. Платформа имеет четыре сетевых контроллера с пропускной способностью 40 Гбит/с и комплектуется блоком питания номиналом 1,2 кВт.

SSD Samsung на ISC 2016

Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) в подсистеме хранения данных сервера Samsung All-Flash Array может достигать 5 млн.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Источник:

Постоянный URL: https://servernews.ru/934957
Поделиться:  
Система Orphus