Материалы по тегу: память

03.12.2017 [19:00], Алексей Степин

Intel продвигает платформу Purley на российском рынке ЦОД

Официально платформа Intel Purley была представлена в июле текущего года, хотя избранные зарубежные партнёры компании получили доступ к ней намного раньше. Сама Intel неоднократно говорила о том, что это не просто очередной анонс в духе «быстрее, выше, сильнее». Речь идёт о перебалансировке платформы в целом. Собственно говоря, серверные решения не ограничиваются одними только CPU. В арсенале у Intel есть собственные SSD, новые накопители 3D XPoint, FPGA, различные акселераторы (в том числе встроенные теперь и в PCH), а также целое семейство ускорителей Xeon Phi и Nervana. И это не считая солидного набора библиотек для всего этого. Однако в данной заметке речь пойдёт о внедрении новой платформы на территории РФ, чему корпорация Intel посвятила отдельное мероприятие. 

Увы, пока что публично рассказать о полевых испытаниях Intel Purley согласились рассказать немногие (Мы уже не первый месяц ждём информацию от одного из крупнейших IT-конгломератов РФ - прим. ред.), так что заметка будет посвящена работе с Optane в МГУ и тестированию Xeon-SP в МТС. Ранее мы уже рассказывали обо всех ключевых компонентах Intel Purley, так что здесь ограничимся лишь кратким описанием технологий и примеров. 

Optane SSD DC P4800X были анонсированы ещё весной. Надо отдать новинке должное: хотя по показателям линейной производительности она может и уступать решениям Samsung, зато задержки при обращении к устройству снизились до 10 микросекунд и даже ниже. Немаловажно и то, что показатель задержки остаётся постоянным, что в ряде случаев весьма критично. Помимо этого, P4800X обеспечивает и отличную пропускную способность на коротких очередях, чем классические SSD обычно похвастаться не могут, хотя и оставляют далеко позади традиционные HDD. Использование нового типа памяти также позволило существенно поднять надёжность — примерно в три раза. Завяляется, что при равном объёме и прочих условиях Optane SSD DC P4800X сможет обеспечить до 30 дневных перезаписей в течение расчётного срока, тогда как у серверного NAND SSD этот показатель будет равен примерно 10 перезаписям в день.

Сейчас накопители на базе Optane не отличаются ни дешевизной, ни большими объёмами хранения данных, так что Intel предполагает два сценария использования DC P4800X: кеширующий накопитель для массива на традиционных SSD или прозрачное расширение памяти. В последнем случае, что интересно, управляющее программное обеспечение включается до загрузки операционной системы, и такая связка с точки зрения ОС является абсолютно прозрачной: небольшой гипервизор перехватывает и перераспределяет обращения к памяти. Тип ОС, по сути, не имеет значения. Впрочем, это пока скорее переходный этап, так как в дальнейшем появится полноценная реализация NVDIMM. 

Называется эта технология Intel Memory Drive Technology (MDT). Конечно, память Optane не столь быстра как традиционная DRAM, но здесь всё зависит от сценария нагрузки. К примеру, при матричном умножении можно получить выигрыш порядка 1,1х за счёт оптимизации размещения данных, а вот в базе данных MySQL производительность может составить 80 % от производительности системы класса «всё в памяти» (Big DRAM). Но при этом вариант с MDT существенно дешевле, что делает технологию отличной альтернативой.

Конечно, пропускная способность DDR4 на порядок выше, нежели у накопителей Optane (порядка 25 Гбайт/с на канал против примерно 2 Гбайт/с на диск), но, как показывают результаты исследований сотрудников химического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова и Intel, ограничивающим фактором производительность DC P4800X становится редко. Более того, технология MDT лучше ведёт себя в системах с архитектурой NUMA — а к таковым можно причислить практически все современные многопроцессорные платформы, поскольку контроллеры памяти у каждого процессора свои, а общаются между собой ЦП посредством отдельной шины.

Конечно, разработка приложений под MDT имеет свою специфику — в частности, шаблоны обращения к памяти должны быть предсказуемыми, чтобы можно было с упреждением подгрузить порцию данных в DRAM из накопителя Optane. Наилучшие результаты достигаются в приложениях вычислительного характера, где на каждое обращение к памяти приходится много процессорных тактов; в противном случае DC P4800X всё же может стать узким звеном, как это было описано в примере с MySQL в предыдущем абзаце. Крайне желательно также одновременное использование более половины доступных процессорных ядер в системе.

Для сравнительных тестов MDT применялись следующие системы: обе машины были оснащены двумя процессорами Intel Xeon E5-2699 v4 (44 ядра, 88 потоков совокупно, 2,2 ГГц). Но система с MDT получила лишь 256 Гбайт памяти DDR4 ECC, которую дополнили 4 накопителя Optane ёмкостью 320 Гбайт каждый (8‒10 Гбайт/с суммарно). В то же время, система типа Big DRAM была оснащена 1536 Гбайт DDR4 ECC. Тестовая программа состояла из следующих пунктов:

  • Расчёт полиномов;
  • Перемножение матриц (GEMM);
  • LU-факторизация;
  • PARDISO (Intel Math Kernel Library);
  • Быстрое преобразование Фурье (FFT).

В итоге в тесте GEMM система с MDT даже после оптимизации теста практически не уступила Big DRAM (0,9x), а в неоптимизированном тесте и вовсе оказалась впереди (1,1x). В LU-факторизации (один из тестов Linpack) после оптимизации эффективность MDT составила 90 % от эффективности Big DRAM. В тесте FFT при размере задачи до 200 % от объёма DRAM система с MDT демонстрировала эффективность на уровне 80‒130 %, но при увеличении задачи до 250 % от объёма DRAM эффективность упала до 40 %, что, очевидно, связано с постоянным использованием накопителя Optane.

А вот в задаче Intel MKL PARDISO (разреженные задачи линейной алгебры) технология MDT оказалась эффективнее классической вне зависимости от размеров данных. В целом, для неоптимизированных задач Intel оценивает эффективность MDT в диапазоне от 20 % до 180 %, а в приложениях, где главным параметром является ПСП, этот показатель оценен примерно в 50 %, что всё равно неплохо с учётом стоимости равного MDT-системе по объёму массива «чистого» DRAM.

Стоит также рассказать и о том, что новая серверная архитектура Intel уже успела пройти проверку в компании МТС, крупном телекоммуникационном провайдере. Клиентов у мобильного оператора более 100 миллионов, только розничных торговых точек более 5500, так что можно представить себе, какая ИТ-инфраструктура стоит за этими масштабами. В МТС есть особое подразделение, которое занимается Data Science — обработкой огромных массивов данных, которые ежесекундно собираются компанией, и их анализом. Отчёты предназначены и для внутреннего использования, и для сторонних заказчиков.  

Для теста была выбрана следующая цель: оптимизация планирования рабочего времени (WFM) сотрудников салонов связи. Задача не такая простая, как кажется на первый взгляд: у сотрудников может быть гибкий график работы; кто-то может неожиданно заболеть; есть определённые правила относительно минимального числа сотрудников в каждый момент времени в салоне; есть, в конце концов, трудовое законодательство. Даже погода за окном влияет на работу салона. Оценка расписаний зависит от правил, установленных в системе WFM. У каждого правила есть свой «вес», всего в системе анализа насчитывается около 30 правил. Новая платформа для этой задачи содержала два процессора Intel Xeon Gold 6148 (40 ядер, 80 потоков суммарно, 2,4 ГГц, стоимость одного чипа примерно $3075), а вот соперником выступил настоящий тяжеловес: четыре процессора Xeon E7-4890 v2 (60 ядер, 120 потоков суммарно, 2,8 ГГц, стоимость одного чипа $6619). 

Для эксперимента случайным образом отобрали 30 офисов, для каждого из которых было установлено по 10 вариантов расписания, всего же итераций эксперимента было 10. Результат оказался неожиданным. Четырёхпроцессорный монстр с треском проиграл новичку, оснащённому всего двумя процессорами, да ещё и с меньшим общим количеством ядер. Если у старой системы время работы алгоритма превысило 50 секунд, то новинка на базе Xeon Gold управилась менее, чем за 30 секунд. С учётом меньшего энергопотребления (300 ватт на 2 процессора против 620 ватт на 4 процессора) результат весьма достойный. 

Кроме того, на презентации свои доклады представили сотрудники РСК и Selectel. Первая занимается разработкой и внедрением суперкомпьютерных решений на территории России (и не только) и известна своими рекордами по созданию высокоэнергоэффективных систем и систем с высокой плотностью. На мероприятии РСК рассказала о сравнительном тестировании новых узлов «РСК Торнадо» на базе Skylake-SP c узлами на базе Westmere-EX. Как и в примере с МТС, двухсокетное решение на новой платформе оказалось значительно эффективнее четырёхсокетного на старой. К слову, удивляться такой разнице между поколениями не стоит — крупные вычислительные системы обновляются не каждый год, а эксплуатируются минимум 3-4 года после внедрения. 

Что касается Selectel, то мы уже подробно рассказывали об инициативе Selectel Lab. Этот облачный провайдер первым в России предложил заказчикам решения Intel Purley, а в рамках Lab каждый может бесплатно протестировать процессоры Intel Xeon Scalable Processor, ускорители Intel Xeon Phi Knights Landing, FPGA-ускорители на базе Intel Arria 10GX, а также накопители Intel Optane P4800X.

Постоянный URL: http://servernews.ru/962283
28.11.2017 [18:19], Сергей Карасёв

Crucial выпустила серверные модули памяти DDR4 LRDIMM ёмкостью 128 Гбайт

Компания Crucial анонсировала новые модули оперативной памяти DDR4 LRDIMM, рассчитанные на использование в серверах и высокопроизводительных вычислительных платформах.

Решения имеют ёмкость в 128 Гбайт. Они могут применяться в системах с высокой нагрузкой на ОЗУ, в частности, в составе серверов, осуществляющих интенсивные вычисления в оперативной памяти.

Выпущенные изделия обеспечивают производительность от 2666 млн пересылок в секунду (MT/s). Производитель предоставляет на модули пожизненную гарантию.

Отмечается, что новые изделия оптимизированы для работы в составе платформ, использующих серверные процессоры Intel Xeon Scalable. Память функционирует при напряжении питания 1,2 В.

Приём заказов на модули Crucial 128GB DDR4-2666 LRDIMM уже начался: цена составляет внушительные 4000 долларов США.

Более подробную информацию об изделиях можно найти на сайте Crucial

Постоянный URL: http://servernews.ru/962153
15.11.2017 [18:52], Сергей Карасёв

Intel выпустит модули DIMM на основе памяти 3D XPoint в течение года

Корпорация Intel поделилась планами по выпуску модулей DIMM, изготовленных с использованием передовой технологии 3D XPoint.

Напомним, что 3D XPoint представляет собой энергонезавиcимую память, по принципу действия совершенно отличную от традиционной флеш-памяти NAND. В то время как NAND Flash для хранения информации использует электроны, захваченные в затворе транзистора, ячейка 3D XPoint меняет сопротивление для различения между нулём и единицей.

3D XPoint является основой накопителей семейства Optane, которые сейчас выпускаются в виде карт расширения PCIe 3.0, 2,5-дюймовых U.2-устройств и модулей М.2. Кроме того, ещё в начале 2016 года демонстрировались прототипы модулей DIMM на основе этой памяти, но с тех пор о таких изделиях практически ничего не было слышно.

И вот теперь Навин Шеной (Navin Shenoy), исполнительный вице-президент Intel и глава группы центров обработки данных (Data Center Group), сообщил, что решения DIMM с памятью 3D XPoint появятся на рынке во второй половине следующего года.

Изделия нового типа будут нацелены на серверы и различные вычислительные платформы. Поэтому Intel придётся обеспечить требуемую надёжность, долговечность и производительность.

«Технология Intel Optane для центров обработки данных сочетает в себе характерные особенности, присущие памяти и подсистемам хранения, обеспечивая низкий уровень задержек, высокую надежность, исключительные показатели качества обслуживания и высокую пропускную способность, что позволяет реализовать новый слой данных, который увеличивает масштабируемость в пределах сервера и помогает снизить стоимость транзакций», — заявляет корпорация. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/961562
15.11.2017 [16:40], Сергей Карасёв

Intel и Micron увеличат объёмы производства памяти для накопителей Optane

Компании Intel и Micron объявили о завершении строительства нового производственного корпуса Building 60 (B60) на предприятии IM Flash в американском штате Юта: площадка позволит нарастить объёмы выпуска передовой памяти 3D XPoint.

Напомним, что технология 3D XPoint лежит в основе накопителей семейства Optane, в частности, изделий корпоративного класса Optane SSD DC P4800X и потребительских устройств Optane SSD 900P. Память 3D XPoint создавалась для удовлетворения быстро растущего спроса на накопители от самых различных заказчиков. Перекрёстная структура в 3D XPoint образует архитектуру из ячеек и матриц, которая позволяет переключать состояния намного быстрее, чем это осуществляется в NAND-памяти.

Расширение мощностей на предприятии IM Flash даст возможность увеличить объёмы выпуска устройств на базе 3D XPoint. «Технология Intel Optane в корне меняет характер нашего взаимодействия с теми огромными объёмами данных, которые генерируются сегодня каждый день. Расширение производственных мощностей позволяет нам удовлетворить растущий спрос на те продукты, которые мы представили в этом году, а также на ту продукцию, которую мы намерены представить в будущем», — заявляют в Intel.

Добавим, что совместное предприятие IM Flash было создано в 2006 году для производства энергонезависимой памяти для нужд Intel и Micron. Сначала здесь выпускалась NAND-память для SSD-накопителей, телефонов, планшетов и других устройств. В 2015 году предприятие IM Flash начало производить память на базе технологии 3D XPoint. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/961549
14.11.2017 [14:00], Сергей Карасёв

Micron представила модули памяти DDR4 NVDIMM-N ёмкостью 32 Гбайт

Компания Micron Technology анонсировала модули памяти DDR4 NVDIMM-N ёмкостью 32 Гбайт, рассчитанные на использование в серверах.

Концепция NVDIMM, или Non-Volatile Dual In-line Memory Module, предусматривает создание энергонезависимой памяти. В случае NVDIMM-N объединены чипы DRAM и NAND. При этом NAND используется лишь с целью сохранения и последующего восстановления данных с DRAM в случае перебоя электроэнергии.

При возникновении неожиданных проблем с питанием запись данных в память NAND может осуществляться за счёт суперконденсатора. Это позволяет избежать потери важной информации и предотвратить потенциальный сбой программного обеспечения, что в серьёзных серверных системах крайне важно.

Micron Technology отмечает, что память NVDIMM-N обеспечивает уникальный баланс пропускной способности, ёмкости, надёжности и цены. Изделия нацелены на серверные системы, применяющиеся в сегменте аналитики данных, финансовом секторе, медицине, торговле и других критичных областях.

Более подробную информацию о памяти NVDIMM-N можно найти здесь

Постоянный URL: http://servernews.ru/961467
13.10.2017 [12:40], Алексей Степин

Supermicro представила серию NVMe-хранилищ на базе решений Intel

Компания Supermicro, один из крупнейших производителей и поставщиков серверных комплектующих и готовых решений, представила новую серию флеш-хранилищ, использующих только интерфейс NVMe и базирующихся на многослойной NAND-памяти Intel. Если быть более точным, в них устанавливаются накопители серий SSD DC P4500 и P4600. Новые системы отличаются низким уровнем задержек и стабильно высокой производительностью под нагрузкой. Они также защищены от потери данных при пропадании сетевого питания.

Всего в серию входит восемь моделей в различных форм-факторах, как в классических 19-дюймовых корпусах, так и в виде лезвийных решений. Практически все они предусматривают установку двух процессоров Intel Xeon Scalable в исполнении LGA 3647, но имеется и четырёхпроцессорная лезвийная модель, позволяющая разместить до 200 процессоров в стойке высотой 42U. Более подробно характеристики новейших решений можно узнать на веб-сайте компании-производителя.

Четырёхпроцессорная плата с поддержкой Xeon Scalable

Четырёхпроцессорная плата с поддержкой Xeon Scalable

Комплектуются новинки различными SSD Intel серий P4500 и P4600. Эти флеш-накопители корпоративного класса построены с применением многослойной TLC-памяти. Младшая версия доступна в объёмах 1, 2 и 4 Тбайт с ресурсом 1 полная перезапись в день, старшая имеет более широкий ассортимент ёмкостей — от 1,6 до 4 Тбайт. У P4600 выше ресурс, который составляет 3 полные перезаписи в день. Используется вариант 2,5″ высотой 15 мм. Производительность одного накопителя на случайных операциях при чтении и записи составляет 695/226 тысяч IOPS для DC P4600 и 515/41 тысяча IOPS для DC P4500. Латентность доступа не превышает 80 микросекунд.

Постоянный URL: http://servernews.ru/959908
24.08.2017 [07:13], Алексей Степин

AccelStor представила новый флеш-массив хранения данных NeoSapphire H710

Системы хранения данных, базирующиеся на твердотельных технологиях, становятся всё популярнее — особенно такие, где доступ к данным требуется немедленно, в больших объёмах и случайными выборками. Последнее обычно способно поставить на колени любую СХД на базе механических жёстких дисков, у которых в силу самой технологии скорость на случайных операциях невысока. Компания AccelStor представила в этой сфере новое решение — полностью программно-управляемый флеш-массив высокой доступности (high availability) NeoSapphire H710.

Базовый блок высотой 2U

Базовый блок высотой 2U

Новинка построена по модульному принципу. Ёмкость массива может составлять от 27 Тбайт в младшей версии до 221 Тбайт в старшей. Более того, H710 легко интегрируется в уже существующие серверные комплексы и системы хранения данных предприятия, повышая их производительность и надёжность. Система снабжена развитыми средствами защиты данных от повреждения, но что более важно, она обеспечивает отличную производительность на случайных операциях — более 600 тысяч IOPS при синхронной записи блоками по 4 Кбайт. Производительность при чтении, скорее всего, ещё выше.

FlexiRemap равномерно распределяет данные по всем элементам массива

FlexiRemap равномерно распределяет данные по всем элементам массива

Технически хранилище NeoSapphire H710 представляет собой 19-дюймовый стоечный корпус высотой 4U. С помощью технологии FlexiRemap все устройства хранения данных, установленные в корпус, воспринимаются системой, как единое пространство, которое можно использовать для создания томов, разделов и так далее. Поскольку массив поддерживает «горячую замену», для расширения ёмкости его не обязательно выключать — можно просто добавить новые модули. Если одного корпуса не хватает, компания предлагает дополнительные дисковые полки — NeoSapphire J212 высотой 2U с 24 дисковыми отсеками и NeoSapphire J214 высотой 4U с 72 дисковыми отсеками. Данная система демонстрируется на мероприятии VMworld 2017, которое проходит с 27 до 31 августа в Лас-Вегасе, США.

Постоянный URL: http://servernews.ru/957473
21.08.2017 [22:19], Сергей Юртайкин

HPE повышает цены на серверную оперативную память на 10–20 %

IT-корпорация Hewlett Packard Enterprise (HPE) повышает стоимость модулей оперативной памяти для серверов на величину до 20 %. Сказывается нехватка чипов DRAM, из-за которой эта продукция дорожает.

Как сообщает издание The Register со ссылкой на информационное сообщение, разосланное HPE своим клиентам, с 21 августа 2017 года компания повышает цены на модули памяти для старых серверов начального уровня. К примеру, решения DDR4 с частотой 2133 МГц, которые используются в девятом поколении серверов на процессорах Haswell, подорожали на 10 %.

hpe.com

hpe.com

Память DDR3 (для серверов восьмого поколения) стала дороже на 15–19 %, а модули UDIMM (для серверов 9-го поколений серий 10 и 100) — на 10 19 %.

В компании отметили, что решение о наращивании цен на серверную «оперативку» не повлияет на конкурентоспособность HPE, поскольку рост коснулся лишь решений для старого недорогого оборудования, а Dell больше не продаёт память DDR 133 МГц и DDR3.

hpe.com

hpe.com

Интересно, что HPE упомянула только Dell. По всей видимости, компанию не заботит конкуренция со стороны Cisco, Lenovo, Supermicro и др., отмечает источник.

По данным аналитиков DRAMeXchange, средняя продажная стоимость DRAM-памяти для компьютеров и серверов подскочила более чем на 10 % во втором квартале 2017 года относительно трёх предыдущих месяцев. Рост цен ожидается и в третьей четверти. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/957285
21.08.2017 [13:45], Сергей Карасёв

Карты памяти ADATA ICFS314 стандарта CFast 2.0 относятся к промышленному классу

Компания ADATA Technology объявила о выпуске флеш-карт памяти ICFS314 повышенной надёжности, которые рассчитаны на использование в промышленном и корпоративном секторах.

Изделия соответствуют стандарту CFast 2.0. Применены микрочипы флеш-памяти 3D MLC NAND (два бита информации в одной ячейке). Габариты решений составляют 36,4 × 42,8 × 3,3 мм.

Карты памяти ADATA ICFS314 представлены в вариантах вместимостью 32, 64, 128, 256 и 512 Гбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость записи — 520 Мбайт/с.

Изделия для коммерческого применения рассчитаны на работу при температурах от минус 10 до плюс 80 градусов Цельсия. Решения промышленного класса могут эксплуатироваться при температурах от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

Карты функционируют при напряжении питания 3,3 В; энергопотребление незначительно превышает 2 Вт.

В качестве областей применения ADATA ICFS314 называются системы автоматизации, медицинское оборудование, различные терминалы и пр. О цене, к сожалению, не сообщается. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/957259
15.08.2017 [18:03], Алексей Степин

SMART Modular анонсировала контроллер Gen-Z NVRAM

Проблемы с объёмом твердотельных накопителей уже решены — представлены решения объёмом 50 и более терабайт, но всё-таки есть сферы, где важна не столько ёмкость, сколько производительность и малая латентность. Над такими решениями работает компания SMART Modular Technologies, продемонстрировавшая недавно прототип контроллера Gen-Z NVRAM. Новинка была выполнена в виде платы расширения PCIe формата HHHL (половинная высота, половинная длина), главной целью демонстрации был показ в действии нового стандарта соединений Gen-Z.

Эволюция подсистем памяти

Эволюция подсистем памяти

Шина Gen-Z является масштабируемой, главное её достоинство — высокая пропускная способность и крайне низкие задержки. В демонстрируемом прототипе эти показатели составили 64 Гбайт/с и менее 100 наносекунд при работе с гибридным массивом из флеш-памяти и DRAM (768 и 16 Гбайт, соответственно). Согласно имеющимся данным, пропускная способность Gen-Z может достигать несколько сотен гигабайт в секунду. Это очень пригодится для ряда задач — как реального времени, так и приложений, полностью работающих в памяти и не обращающихся к внешним медленным средствам хранения данных.

Gen-Z является универсальной шиной

Gen-Z является универсальной шиной

Сердце платы, контроллер под кодовым названием Cobra PM, разработан SMART в сотрудничестве c IntelliProp. В текущей версии он поддерживает работу с флеш-массивами объёмом до 6 Тбайт и массивами DRAM объёмом до 32 Гбайт. Поддерживается стандарт NVMe 1.3, поэтому ничто не мешает SMART Modular выпускать решения класса Gen-Z не только в виде плат расширения PCIe, но использовать также популярный форм-фактор SFF-8639, он же U.2. Надо сказать, что в разработке стандарта Gen-Z компания не одинока: в консорциум разработчиков входят такие известные имена, как AMD, ARM, Broadcom, Cray, Dell EMC, Hewlett Packard Enterprise, Huawei, IDT, Micron, Samsung, SK hynix и Xilinx.

Постоянный URL: http://servernews.ru/956997