Материалы по тегу: память

23.11.2018 [00:14], Сергей Карасёв

Apacer представила первые в мире 32-битные модули памяти DDR4 SO-DIMM

Компания Apacer анонсировала, как утверждается, первые в отрасли 32-битные модули оперативной памяти DDR4 SO-DIMM.

Представленные изделия рассчитаны на использование во встраиваемых системах, устройствах Интернета вещей, автомобильных центрах и другом оборудовании на основе процессоров ARM/RISC.

Apacer отмечает, что обычно в обозначенных сферах применяются интегрированные чипы памяти, что ограничивает свободу для разработчиков и приводит к невозможности апгрейда. Новые изделия позволят решить эти проблемы.

32-битные модули памяти DDR4 SO-DIMM будут предлагаться в версиях с частотой 2133, 2400 и 2666 МГц. Напряжение питания составляет 1,2 В. Предусмотрены три варианта ёмкости — 2 Гбайт, 4 Гбайт и 8 Гбайт.

Компания Apacer заявляет, что модули совместимы с процессорами многих известных разработчиков, включая NXP, Freescale, Marvell, Cavium и Texas Instruments.

Эксплуатироваться изделия могут при температурах от 0 до плюс 85 градусов Цельсия. Сроки начала массовых поставок пока не раскрываются. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/978595
08.11.2018 [17:40], Андрей Созинов

Micron начала массовые поставки корпоративных SSD-накопителей 5210 Ion на базе QLC 3D NAND

Компания Micron начала массовые поставки твердотельных накопителей 5210 Ion корпоративного класса, построенных на микросхемах памяти типа QLC 3D NAND. В мае этого года производитель начал поставки этих накопителей ограниченному кругу клиентов, а теперь же они доступны всем желающим.

Для начала напомним, что твердотельная память типа QLC предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Это обеспечивает на 33 % более высокую плотность хранения информации по сравнению с флеш-памятью типа TLC 3D NAND, которая способна вместить три бита в одну ячейку. В накопителях 5210 Ion используется 64-слойная память QLC 3D NAND собственного производства Micron.

Производитель позиционирует новинки в качестве полноценной замены традиционным жёстким дискам. Твердотельные накопители обладают гораздо более высокой скоростью работы, а также занимают меньше места по сравнению с жёсткими дисками и потребляют втрое меньше энергии, что в масштабах крупных серверов может быть существенным плюсом. Отмечается, что накопители Micron 5210 Ion способны проявить себя с лучшей стороны в таких задачах, как анализ данных в реальном времени, а также в IT-проектах, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением, обработкой больших объёмов данных (Big Data), работой с базами данных и многими другими областями.

Накопители Micron 5210 Ion доступны в версиях объёмом 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Во всех случаях накопители выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и имеют толщину 7 мм. Для подключения используется интерфейс SATA III (6 Гбит/с). Для новинок заявлена скорость последовательного чтения до 540 Мбайт/с, записи — от 260 до 360 Мбайт/с в зависимости от объёма. Производительность случайного чтения достигает 70–90 тыс IOPS, а записи — всего 4,5-13 тыс IOPS.

Производитель не уточняет стоимость твердотельных накопителей Micron 5210 Ion. Дистрибьютеры же на данный момент принимают предварительные заказы на новинки по цене около 21–24 цента за 1 Гбайт (получается около $1650 за модель объёмом 7,68 Тбайт). Для сравнения, розничная цена накопителей Micron 5200 ECO на базе TCL-памяти составляет 25–28 центов за гигабайт. Оптовые же цены на новые Micron 5210 Ion будут ощутимо ниже, да и розничные цены после начала продаж могут оказаться ниже 20 центов за гигабайт.

Постоянный URL: http://servernews.ru/977902
01.11.2018 [12:39], Сергей Карасёв

Новые модули энергонезависимой памяти Crucial NVDIMM имеют ёмкость 32 Гбайт

Бренд Crucial, принадлежащий компании Micron Technology, анонсировал новые модули памяти NVDIMM, предназначенные для использования в серверном оборудовании.

Напомним, что изделия NVDIMM, или Non-Volatile Dual In-line Memory Module, представляют собой энергонезависимые решения. По сути, это гибрид традиционной памяти DRAM и NAND.

Новые модули Crucial NVDIMM имеют ёмкость 32 Гбайт. В случае внезапного сбоя питания информация из DRAM переписывается в память NAND, благодаря чему впоследствии возможно её полное восстановление.

Важно отметить, что комплект поставки включает специальный суперконденсаторный блок в формате 2,5-дюймового накопителя. Это устройство выполняет функции резервного источника питания.

Выпущенные изделия обеспечивают производительность в 2933 млн пересылок в секунду (MT/s). На модули памяти предоставляется пожизненная гарантия.

О цене представленных решений, к сожалению, ничего не сообщается. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/977599
04.07.2018 [09:10], Сергей Карасёв

GIGABYTE CMT4032 и CMT4034: карты для установки SSD-модулей М.2 в слот PCIe

Компания GIGABYTE анонсировала изделия CMT4032 и CMT4034 — карты расширения PCIe, предназначенные для установки твердотельных (SSD) модулей формата М.2.

Модель CMT4032 выполнена в виде карты PCIe Gen3 x8. Она снабжена двумя коннекторами для SSD-накопителей.

Версия CMT4034, в свою очередь, соответствует стандарту PCIe Gen3 x16. Предусмотрено четыре посадочных места для модулей формата М.2.

В обоих случаях могут применяться быстрые накопители NVMe. Говорится о совместимости с решениями М.2 2280 и М.2 22110 — с габаритами соответственно 22 × 80 и 22 × 110 мм.

Карты расширения имеют размеры 150 × 68,9 мм. Комплект поставки включает монтажные планки стандартной и уменьшенной высоты, что позволяет использовать устройства в том числе в низкопрофильных корпусах.

Новинки рассчитаны на применение прежде всего в серверах и высокопроизводительных рабочих станциях. Цена карт CMT4032 и CMT4034, к сожалению, пока не раскрывается. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/972141
26.06.2018 [14:05], Геннадий Детинич

В третьем квартале поставки серверных модулей памяти вернутся к «докризисному» уровню

С начала роста цен на чипы памяти типа DRAM во втором квартале 2016 года производители модулей памяти старались отдать предпочтение выпуску серверных планок. Этот вид продукции приносил больше всего дохода, но спрос на память LPDDRх для смартфонов и чипы DRAM и GDDRx для ПК и ноутбуков вынуждал переориентировать часть производства на выпуск условно бюджетной памяти.

Уровень выработки (загруженность производства) серверных модулей памяти ведущими компаниями, тайваньскими и китайскими ODM и прочими

Уровень выработки (загруженность производства) серверных модулей памяти ведущими компаниями, тайваньскими и китайскими ODM и прочими

С третьего квартала 2017 года по мере ликвидации дефицита в поставках DRAM объёмы поставок серверных модулей памяти снова начали увеличиваться. Рост поставок, тем не менее, не смог покрыть дефицита продукции, и в первой половине 2018 года средние контрактные цены на серверную память выросли на 10 %. В третьем квартале 2018 года и во второй половине 2018 года в целом, уверены аналитики DRAMeXchange, производство серверных модулей памяти почти вернётся к «докризисному» уровню. Это поможет замедлить дальнейший рост цен на серверную память. К примеру, рост цен на память производителей верхнего эшелона может вырасти всего на 1 % или 2 % или до $320 за модуль ёмкостью 32 Гбайт.

Вторая половина текущего года, продолжают аналитики, пройдёт под звездами платформ Intel Purley (преимущественно на архитектуре Skylake) и AMD Naples (EPYC, Zen). Иначе говоря, 32-Гбайт модули будут пользоваться повышенным спросом. Например, проникновение платформы Intel Purley в серверный сегмент увеличится до конца года с нынешних 50 % до 80 %. Это приведёт к тому, что уровень проникновения в серверы 32-Гбайт модулей памяти достигнет 70 %.

Производители памяти продолжают делать ставку на 20-нм техпроцесс по производству чипов серверной высокоплотной DRAM. Но все они делают всё возможное, чтобы перейти на выпуск 17-нм и 18-нм чипов. Единственной компанией, которая достигла в этом успеха, остаётся компания Samsung, хотя последние слухи заставляют в этом усомниться.

Постоянный URL: http://servernews.ru/971758
15.06.2018 [18:30], Сергей Карасёв

Ёмкость новых накопителей Memblaze PBlaze5 NVMe SSD достигает 15 Тбайт

Компания Memblaze Technology анонсировала новые твердотельные (SSD) устройства хранения данных серии PBlaze5, рассчитанные на использование в корпоративном сегменте.

Речь идёт о решениях PBlaze5 910/916. В зависимости от модификации они будут предлагаться в 2,5-дюймовом форм-факторе с интерфейсным разъёмом U.2 и в виде карт расширения PCIe 3.0 х8.

Накопители поддерживают протокол NVMe 1.2. В их основу положены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND корпоративного класса.

Серия PBlaze5 910 включает версии вместимостью 3,84 Тбайт, 7,68 Тбайт и 15,36 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации варьируется от 3,5 до 6 Гбайт/с, скорость последовательной записи — от 3,5 до 3,8 Гбайт/с. Показатель IOPS на операциях чтения — до 1 млн, на операциях записи — до 140 тыс.

Семейство PBlaze5 916 представлено модификациями ёмкостью 3,2 Тбайт и 6,4 Тбайт. Максимальная скорость чтения составляет от 3,5 до 6 Гбайт/с, скорость записи — от 3,5 до 3,8 Гбайт/с. Величина IOPS при чтении достигает 1 млн, при записи — 300 тыс.

Накопители PBlaze5 910 обеспечивают один цикл записи всей ёмкости в день (drive writes per day, DWPD) на протяжении пяти лет, а устройства PBlaze5 916 — три цикла на протяжении того же срока. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/971328
12.06.2018 [16:16], Сергей Карасёв

В Samsung начат массовый выпуск модулей DDR4 RDIMM на 64 Гбайт

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства модулей оперативной памяти RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module), рассчитанных на использование в серверах.

Reuters

Reuters

Изделия выполнены с применением монолитных чипов ёмкостью 16 Гбит. Ёмкость модулей составляет 64 Гбайт. Утверждается, что это первые в отрасли решения с указанным набором характеристик.

Применение монолитных микросхем большой ёмкости, в частности 16 Гбит, позволяет создавать модули и подсистемы оперативной памяти с меньшим количеством чипов, что способствует снижению энергопотребления.

Выпущенные решения рассчитаны на скорость передачи данных 2666 МТрансферов/с. В перспективе, как ожидается, данный показатель будет увеличен.

Одной из первых серверных платформ, использующих новые модули памяти Samsung, станет система HPE ProLiant DL385 Gen10, полагающаяся на процессоры AMD EPYC 7000.

Компания Samsung Electronics также сообщила, что в скором времени начнутся пробные поставки модулей памяти DIMM ёмкостью 256 Гбайт, в основу которых лягут 16-гигабитные чипы. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/971113
31.05.2018 [10:10], Сергей Карасёв

Модули памяти Intel Optane DC DIMM дебютировали в версиях ёмкостью до 512 Гбайт

Корпорация Intel официально представила модули памяти Optane DC Persistent Memory, рассчитанные на использование в оборудовании корпоративного класса.

Анонсированные решения — это модули DIMM, выполненные с применением передовой технологии 3D XPoint. Напомним, что 3D XPoint представляет собой энергонезависимую память, которая по ключевым характеристикам многократно превосходит широко распространённую NAND Flash. Утверждается, к примеру, что 3D XPoint до 1000 раз быстрее и имеет до 1000 раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND.

Прототипы модулей DIMM на основе 3D XPoint демонстрировались ещё в 2016 году, но только сейчас такие решения начинают выходить на коммерческий рынок.

Итак, сообщается, что изделия Optane DC Persistent Memory на уровне контактов совместимы с DDR4. Правда, использовать модули поначалу можно будет только в системах на платформе Intel Xeon следующего поколения.

Сейчас в семейство Optane DC Persistent Memory входят решения ёмкостью 128, 256 и 512 Гбайт. Скоростные показатели, к сожалению, не раскрываются.

Пока организованы поставки образцов Optane DC Persistent Memory. Отдельные заказчики начнут получать изделия на коммерческой основе позднее в текущем году. Массовые отгрузки намечены на 2019 год. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/970494
30.05.2018 [10:10], Сергей Карасёв

Silicon Power AIC3C0P: твердотельные накопители PCIe вместимостью до 3200 Гбайт

Компания Silicon Power анонсировала семейство быстрых твердотельных (SSD) накопителей AIC3C0P, которые рассчитаны на использование в коммерческом секторе.

Изделия выполнены в виде карт расширения с интерфейсом PCIe Gen 3 x4. Применены микрочипы флеш-памяти NAND MLC (Multi-Level Cell).

В серию AIC3C0P вошли накопители вместимостью 800, 1600 и 3200 Гбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3200 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1850 Мбайт/с.

Устройства способны выполнять до 750 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS) в режиме произвольного чтения данных блоками по 4 Кбайт и до 380 000 операций при произвольной записи.

Заявлена поддержка команд TRIM и средств мониторинга S.M.A.R.T. Кроме того, говорится о возможности осуществления шифрования данных по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

Средняя заявленная наработка на отказ достигает 1 млн часов. Диапазон рабочих температур — от 0 до 55 градусов Цельсия. На накопители предоставляется трёхлетняя гарантия. О цене, к сожалению, ничего не сообщается. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/970424
21.02.2018 [14:36], Геннадий Детинич

Завершена разработка спецификаций Gen-Z Core Specification 1.0

Организация Gen-Z Consortium сообщила о завершении разработки спецификаций Gen-Z Core Specification 1.0. Работа над спецификациями Gen-Z формально началась в октябре 2016 года, когда из ряда крупнейших и не очень крупных компаний был создан одноимённый консорциум. Его основателями стали компании AMD, ARM, Broadcom, Cray, Dell EMC, Hewlett Packard Enterprise, Huawei, IDT, Micron, Samsung, SK Hynix, и Xilinx. Сегодня консорциум насчитывает около 50 активных участников. Впрочем, два крупных игрока на рынке вычислительных систем отказались в него войти — это компании Intel и NVIDIA.

Интерфейс и протокол Gen-Z открытый и свободен от лицензионных сборов, хотя за его использование в разработках, очевидно, придётся внести определённую оплату. Потенциально Gen-Z может заменить шину PCI Express в тех случаях, когда необходимо концентрироваться на работе с данными и носителями. В этом суть необходимости создания нового интерфейса — задержки при обращении к памяти в многоядерном окружении начали достигать критических для работы приложений значений. Переход на новый протокол и новые межсоединения обещает снизить латентность обращения к памяти до 100 нс и быстрее. За эту идею, кстати, вступлением в консорциум проголосовали все производители памяти.

Память станет «центром вселенной» инетрфейса Gen-Z

Память станет «центром вселенной» для интерфейса Gen-Z

Получить доступ к спецификациям Gen-Z Core Specification 1.0 после регистрации на сайте могут все желающие. Готовность спецификаций также означает, что разработчики могут приступать к созданию решений с поддержкой нового интерфейса и IP-блоков для интеграции в сторонние разработки. Ожидается, что в течение 2018 года появится много практических решений с использованием нового стандарта.

Постоянный URL: http://servernews.ru/965961
Система Orphus