Samsung представит энергоэффективные модули памяти ёмкостью 32 Гбайт

 

Компания Samsung Electronics продолжает разработки в области оперативной памяти и в скором времени сможет предложить энергоэффективные модули ёмкостью 32 Гбайт, предназначенные для использования в высокопроизводительных серверах. Микросхемы память этих модулей будут изготавливаться с соблюдением технологического процесса 30-нм класса с применением технологии межслойных соединений TSV (Through Silicon Via).

 

 

Технология "связи сквозь кремний" предполагает соединение кремниевых кристаллов через вертикальные микроскопические отверстия, заполненные металлом. Таким образом, производитель получает возможность уйти от массы соединительных межслойных проводников. Технология TSV позволяет значительно повысить плотность записи на чип, экономить место на подложке и усовершенствовать сигнальные характеристики памяти.

Микросхемы памяти Samsung будут совмещать четыре кремниевых кристалла ёмкостью 1 Гбит каждый. Пропускная способность одного чипа составит 1333 Мбит/с, что примерно на 70% превосходит показатели уже представленных на рынке модулей аналогичного объёма. При исключительных параметрах быстродействия, Samsung намерена сохранить низкое рабочее напряжение памяти (1,35 вольт) и энергопотребление на уровне 4,5 ватт в час. Как утверждается, это будут самые экономичные модули памяти в мире.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER. | Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам.
Постоянный URL: https://servernews.ru/594942
Система Orphus