Samsung Electronics приступила к производству модулей памяти емкостью 32 Гбайт

 

Представители Samsung Electronics сообщили, что компания приступила к массовому производству новых модулей памяти с емкостью в 32 Гбайт, ориентированных, главным образом, на применение в мощных серверах, обслуживающих облачные сервисы. Модули RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module — модули регистровой памяти с двухрядным расположением микросхем) изготавливаются на основе чипов памяти DDR3 DRAM на 4 Гбайт, к производству которых по 30-нанометровой технологии компания приступила уже в феврале текущего года (40-нанометровую технологию компания начала использовать годом раньше).

samsung

По словам разработчиков, новые чипы примерно на 50% превосходят по производительности 4-гигабитные чипы DDR3, которые компания производит по 40-нанометровой технологии, и Samsung ожидает их быстрого и широкого проникновения на рынок. Новые модули работают при напряжении в 1,35 вольта с тактовой частотой 1866 МГц, что на 40% превышает тактовую частоту 32-гигабайтных модулей RDIMM (1333 МГц), изготавливаемых по 40-нанометровой технологии и работающих при напряжении в 1,5 вольта. Представители Samsung сообщили также, что на данный момент компания изготавливает по 30-нанометровой технологии чипы и модули памяти для всех секторов рынка — начиная с мобильных устройств и заканчивая высокопроизводительными серверами. Кроме того, Samsung планирует начать производство еще более энергоэффективных 4-гигабитных чипов DDR3 по 20-нанометровой технологии во второй половине 2011 года. Специалисты Samsung предполагают, что к 2012 году более 10% выпускаемых компанией чипов DRAM будут 4-гигабитными, или еще более емкими.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER. | Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам.
Постоянный URL: https://servernews.ru/594715
Система Orphus