Weebit Nano получила первые 22-нм кристаллы ReRAM, выполненные по технологии FD-SOI

 

С закатом 3D XPoint и потерей интереса Intel и Micron к данному проекту, на передний план выходят другие технологии энергонезависимой памяти, лишённые недостатков классической NAND. Среди них — резистивная память с произвольным доступом (ReRAM), могущая посоперничать в быстродействии с обычной DRAM.

Компания Weebit Nano объявила об успешном выпуске (tape out) первых чипов с интегрированной памятью ReRAM, выполненных с использованием 22-нм техпроцесса FD-SOI. Данная разработка является плодом сотрудничества компании с французским институтом CEA-Leti.

 Структура ячейки ReRAM. Источник здесь и далее: Weebit Nano

Структура ячейки ReRAM. Виден несколько хаотичный характер токопроводящей нити. Источник здесь и далее: Weebit Nano

Это достаточно серьёзный прорыв, поскольку интегрированная флеш-память плохо масштабируется для техпроцессов тоньше 28 нм. Первый модуль Weebit Nano содержит массив ReRAM объёмом 8 Мбит, управляющую логику, декодеры, I/O-блок и систему коррекции ошибок (ECC). За управление отвечает микроконтроллер с архитектурой RISC-V. Чип являет собой законченный демонстратор технологии, содержащий всё необходимое для всестороннего её тестирования и оценки.

В запатентованной схемотехнике используются гибридные аналого-цифровые цепи и алгоритмы, улучшающие параметры массива ReRAM. Поскольку в основе самих ячеек такой памяти лежит резистивный эффект, ReRAM нечувствительна к электромагнитным полям и радиации, а также хорошо переносит повышенные температуры и радиационное излучение. За подробностями можно обратиться к самой Weebit Nano.

 Блок-схема демонстрационного модуля ReRAM, выпущенного компанией

Блок-схема демонстрационного модуля ReRAM, выпущенного компанией Weebit Nano

На фоне гигабитных чипов «традиционной» памяти ёмкость ReRAM в тестовом варианте не выглядит впечатляющей, но, во-первых, это пока демонстрационное решение, а, во-вторых, речь идет о памяти с параметрами, делающими её привлекательной для использования в экономичных встраиваемых системах, работающих в суровой внешней среде — IoT-решениях, в том числе, промышленных, контроллерах сетей 5G или автономном транспорте.

Сам факт выпуска таких чипов позволяет говорить о том, что разработчикам удалось решить проблемы с хаотичным образованием токопроводящих нитей в структуре ReRAM, создав структуры с нужными параметрами, поддерживаемыми более совершенными алгоритмами коррекции ошибок. Впрочем, под вопросом остаётся дальнейшее масштабирование технологии, а также то, что Weebit Nano пока ни словом не обмолвилась о массовом производстве.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER. | Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам.

Источник:

Постоянный URL: https://servernews.ru/1080358

Комментарии

Система Orphus