Подразделение Intel Labs открыло Исследовательский центро интегрированной фотоники для интерконнектов ЦОД. Основной задачей нового подразделения будет ускорение инноваций в области оптический IO-технологий для повышении производительности и степени интеграции. Особый акцент будет сделан на фотонных устройствах, КМОП-схемах, архитектуре соединений, корпусировании, а также оптоволоконной коммутации.
Индустрия быстро приближается к практическим пределам производительности I/O-устройств, основанных на электронной передаче сигналов. Джеймс Яусси (James Jaussi), директор исследовательской лаборатории PHY в Intel Labs, убеждён, что ни одна организация не сможет в одиночку успешно воплотить в реальность все инновации, необходимые для преодоления этого барьера производительности.
Изображение: Intel
Для создания нового поколения оптических интерконнектов Intel намерена сотрудничать с университетами и известными учёными по всему миру. Джон Бауэрс (John Bowers) из Калифорнийского университета в Санта-Барбаре возглавляет работу над созданием гетерогенных, интегрированных в кремний арсенид-индиевых (InAs) лазеров на квантовых точках. Паван Кумар Ханумолу (Pavan Kumar Hanumolu) из Университета Иллинойса в Урбан-Шампейне руководит созданием оптических трансиверов сверхнизкой мощности с трансимпедансными усилителями, схемами тактирования и синхронизации. Арка Маджумдар (Arka Majumdar) из Вашингтонского университета занимается кремниевыми фотонными переключателями с малыми потерями на базе материалов с халькогенидным фазовым переходом, которые способны сохранять заданное состояние без подачи питания.
Изображение: Intel
К работе центра присоединились также учёные из других научных центров США в Техасе, Орегоне, Калифорнии. Они ведут исследования по таким направлениям как оптические трансиверы для высокопроизводительной системы фотонных соединений, кремниевые микродинамические модуляторы с высокой пропускной способностью, интегрированные на кремниевой пластине волноводные линзы, атермальные модуляторы и резонансные фотоприёмные интегральные схемы с пропускной способностью до 40 Тбит/с и плотностью подключения 16 Тбит/с/мм, 3D-упаковка для вертикальной интеграции фотонных и электронных интегральных схем с высокой плотностью соединений.
Источник:
